基本信息:
- 专利标题： Trap-rich layer for semiconductor device
- 申请号：JP2013546188 申请日：2011-12-07
- 公开(公告)号：JP2014504457A 公开(公告)日：2014-02-20
- 发明人： ブリンドル，クリス , スチューバー，マイケル・エイ , モーリン，スチュアート・ビィ
- 申请人： アイ・オゥ・セミコンダクター・インコーポレイテッドIo Semiconductor, Inc.
- 专利权人： アイ・オゥ・セミコンダクター・インコーポレイテッドIo Semiconductor, Inc.
- 当前专利权人： アイ・オゥ・セミコンダクター・インコーポレイテッドＩｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ， Ｉｎｃ．
- 优先权： US201061427167 2010-12-24
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/322 ; H01L27/12
摘要：
集積回路チップが活性層及びトラップリッチ層と共に形成される。 活性層が能動素子層及び金属インターコネクト層と共に形成される。 トラップリッチ層が活性層の上に形成される。 幾つかの実施形態では、活性層は半導体ウェハに含まれ、トラップリッチ層はハンドルウェハに含まれる。
摘要（英）：
Integrated circuit chip is formed with the active layer and the trap-rich layer. The active layer is formed together with the active element layer and the metal interconnect layer. Trapping rich layer is formed on the active layer. In some embodiments, the active layer is contained in the semiconductor wafer, trapping rich layer is included in the handle wafer.
公开/授权文献:
- JP6004285B2 半導体デバイスのためのトラップリッチ層 公开/授权日：2016-10-05
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |