基本信息:
- 专利标题： Semiconductor device and method for manufacturing the same
- 专利标题（中）：半导体器件及其制造方法
- 申请号：JP2013059831 申请日：2013-03-22
- 公开(公告)号：JP2014187114A 公开(公告)日：2014-10-02
- 发明人： OTA CHIHARU , SHIMIZU TATSUO , NISHIO JOJI , SHINOHE TAKASHI
- 申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
- 专利权人： Toshiba Corp,株式会社東芝
- 当前专利权人： Toshiba Corp,株式会社東芝
- 优先权： JP2013059831 2013-03-22
- 主分类号： H01L29/868
- IPC分类号： H01L29/868 ; H01L21/28 ; H01L21/329 ; H01L21/337 ; H01L21/338 ; H01L27/098 ; H01L29/12 ; H01L29/16 ; H01L29/167 ; H01L29/41 ; H01L29/417 ; H01L29/47 ; H01L29/739 ; H01L29/78 ; H01L29/808 ; H01L29/812 ; H01L29/861 ; H01L29/872
摘要：
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device capable of reducing ON-resistance.SOLUTION: The semiconductor device comprises: an n-type SiC substrate which has first and second surfaces and contains a p-type impurity and an n-type impurity, and in which an element A is used as the p-type impurity and an element D is used as the n-type impurity, a combination of the element A and the element D is at least one combination of Al, Ga or In, N, B and P, a ratio of a concentration of the element A to a concentration of the element D forming the combination, is more than 0.40 and less than 0.95, the concentration of the element D is equal to or more than 1×10cmand equal to or less than 1×10cm; a SiC layer provided on the first surface; a first electrode provided at the first surface side; and a second electrode provided on the second surface.
摘要（中）：
要解决的问题：提供能够降低导通电阻的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：n型SiC衬底，其具有第一和第二表面并且包含p型杂质和n型杂质， 并且其中使用元素A作为p型杂质并且元素D用作n型杂质，元素A和元素D的组合是Al，Ga或In，N的至少一种组合 B，P为元素A的浓度与形成该组合的元素D的浓度的比，大于0.40且小于0.95，元素D的浓度为1×10cm以上且等于 至少1×10cm; 设置在所述第一表面上的SiC层; 设置在第一表面侧的第一电极; 以及设置在第二表面上的第二电极。
公开/授权文献:
- JP6239250B2 半導体装置およびその製造方法 公开/授权日：2017-11-29
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/86 | ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的 |
| ------------H01L29/861 | ...二极管 |
| --------------H01L29/868 | ....PIN二极管 |