基本信息:
- 专利标题： Thin-film deposition system
- 专利标题（中）：薄膜形成装置
- 申请号：JP2012248987 申请日：2012-11-13
- 公开(公告)号：JP2014099441A 公开(公告)日：2014-05-29
- 发明人： SHIMADA MASARU , HIROHARA MASAMI
- 申请人： Mes Afty Corp , エム・イー・エス・アフティ株式会社 , Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd , 三井造船株式会社
- 专利权人： Mes Afty Corp,エム・イー・エス・アフティ株式会社,Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd,三井造船株式会社
- 当前专利权人： Mes Afty Corp,エム・イー・エス・アフティ株式会社,Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd,三井造船株式会社
- 优先权： JP2012248987 2012-11-13
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205 ; C23C16/455 ; H01L21/31
摘要：
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film formation device capable of forming a thin film having a uniform film thickness and uniform film quality.SOLUTION: A thin film formation device 1 includes: a rotary sample base 12 which supports a substrate 2 and rotates the substrate 2 in a plane of the substrate 2; a heating part 13 which heats the substrate 2; a plasma generation part 30 which generates plasma flow 4 and radiates the plasma flow 4 to the substrate 2 from an angle inclined relative to a rotation axis 3 of the rotary sample base 12; and gas jet ports 21 which are disposed around an inflow port 15 of the plasma flow 4 and jet a gas 6 for film formation toward the substrate 2.
摘要（中）：
要解决的问题：提供能够形成具有均匀膜厚度和膜质量均匀的薄膜的薄膜形成装置。解决方案：薄膜形成装置1包括：旋转样品基体12，其支撑基板2并旋转 基板2在基板2的平面内; 加热基板2的加热部13; 等离子体产生部30，其产生等离子体流4，并将等离子流4从旋转样品基体12的旋转轴3倾斜的角度照射到基板2; 以及气体喷射口21，其设置在等离子体流4的流入口15周围，并向基板2喷射成膜用气体6。
公开/授权文献:
- JP6110106B2 薄膜形成装置 公开/授权日：2017-04-05
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/205 | .....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积 |