基本信息:
- 专利标题： Power semiconductor device and method of manufacturing the same
- 专利标题（中）：功率半导体器件及其制造方法
- 申请号：JP2013146968 申请日：2013-07-12
- 公开(公告)号：JP2014078689A 公开(公告)日：2014-05-01
- 发明人： OSHINO YUICHI , SUESHIRO TOMOKO , NAKAMURA KAZUTOSHI , MISU SHINICHIRO , HARA TAKUMA
- 申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
- 专利权人： Toshiba Corp,株式会社東芝
- 当前专利权人： Toshiba Corp,株式会社東芝
- 优先权： JP2012206811 2012-09-20; JP2013146968 2013-07-12
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/329 ; H01L21/336 ; H01L27/04 ; H01L29/06 ; H01L29/739 ; H01L29/861 ; H01L29/868
摘要：
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a power semiconductor device capable of facilitating miniaturization.SOLUTION: In the method of manufacturing the power semiconductor device, an upper part of a semiconductor substrate in a terminal region, an upper surface of a first diffusion layer, and an upper surface of a first oxide film are etched so that the position of the upper surface of the semiconductor substrate in the terminal region, including the first oxide film and the first diffusion layer, is lower than the upper surface of the semiconductor substrate in a cell region. Then, a second oxide film is formed on the semiconductor substrate. An embedded electrode is formed on the second oxide film from a first region to the side of the cell region over the first diffusion layer so that the position of the upper surface of the embedded electrode is lower than the upper surface of the semiconductor substrate in the cell region.
摘要（中）：
要解决的问题：提供一种制造能够促进小型化的功率半导体器件的方法。解决方案：在制造功率半导体器件的方法中，在端子区域中的半导体衬底的上部，第一 扩散层和第一氧化物膜的上表面被蚀刻，使得包括第一氧化物膜和第一扩散层的端子区域中的半导体衬底的上表面的位置低于第一氧化膜的上表面 半导体衬底。 然后，在半导体衬底上形成第二氧化膜。 在第一扩散层上，从第一区域到第二扩散层的单元区域侧的第二氧化膜上形成嵌入电极，使得嵌入电极的上表面的位置比半导体衬底的上表面低 细胞区域。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |