基本信息:
- 专利标题: Inverter device
- 专利标题(中):逆变器装置
- 申请号:JP2012188748 申请日:2012-08-29
- 公开(公告)号:JP2014050137A 公开(公告)日:2014-03-17
- 发明人: MIKI OSAMU
- 申请人: Toshiba Schneider Inverter Corp , 東芝シュネデール・インバータ株式会社
- 专利权人: Toshiba Schneider Inverter Corp,東芝シュネデール・インバータ株式会社
- 当前专利权人: Toshiba Schneider Inverter Corp,東芝シュネデール・インバータ株式会社
- 优先权: JP2012188748 2012-08-29
- 主分类号: H02M7/48
- IPC分类号: H02M7/48
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To securely synchronize, when automatically back up parameter information in an inverter device main unit with parameter information stored in a communication module, both the pieces of parameter information.SOLUTION: When a communication module parameter stored in a communication module is changed (S609), communication module parameter-setting completion data stored in nonvolatile memories of the communication module and an inverter device main unit is set to be non-completion of setting (S610, S611). When a communication module parameter change by a user is completed (S612), the communication module parameter-setting completion data stored in the nonvolatile memory of the communication module is set to be completion of setting, and also, the communication module parameter-setting completion data and the communication module parameter that are stored in the nonvolatile memory of the communication module are stored into the nonvolatile memory of the inverter device main unit (S613).
摘要(中):
要解决的问题:当通过存储在通信模块中的参数信息自动备份逆变器装置主单元中的参数信息时,为了安全地同步两个参数信息。解决方案:当通信模块中存储的通信模块参数为 改变(S609),通信模块的非易失性存储器中存储的通信模块参数设定完成数据和逆变器装置主单元被设定为不完成设定(S610,S611)。 当完成用户改变通信模块参数(S612)时,将存储在通信模块的非易失性存储器中的通信模块参数设置完成数据设置为完成设置,并且通信模块参数设置完成 存储在通信模块的非易失性存储器中的数据和通信模块参数被存储在逆变器装置主单元的非易失性存储器中(S613)。
公开/授权文献:
- JP6001962B2 インバータ装置 公开/授权日:2016-10-05
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H02 | 发电、变电或配电 |
----H02M | 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节 |
------H02M7/00 | 交流功率输入变换为直流功率输出;直流功率输入变换为交流功率输出 |
--------H02M7/02 | .不可逆的交流功率输入变换为直流功率输出 |
----------H02M7/44 | ..利用静态变换器的 |
------------H02M7/48 | ...应用有控制极的放电管或有控制极的半导体器件的 |