基本信息:
- 专利标题: Method of forming solder deposits and non-melt bumps on a substrate
- 申请号:JP2013522220 申请日:2011-07-29
- 公开(公告)号:JP2013534367A 公开(公告)日:2013-09-02
- 发明人: マテヤート カイ−イェンス , ランプレヒト スヴェン , エーヴァート インゴ , シェーネンベアガー カトリーヌ , クレス ユルゲン
- 申请人: アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングAtotech Deutschland GmbH
- 专利权人: アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングAtotech Deutschland GmbH
- 当前专利权人: アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングAtotech Deutschland GmbH
- 优先权: EP11160014 2011-03-28; EP10171612 2010-08-02
- 主分类号: H01L21/60
- IPC分类号: H01L21/60 ; H01L23/12 ; H05K3/18 ; H05K3/24 ; H05K3/34
摘要:
Described is a method of forming a metal or metal alloy layer onto a substrate comprising the following steps i) provide a substrate including a permanent resin layer on top of at least one contact area and a temporary resin layer on top of the permanent resin layer, ii) contact the entire substrate area including the at least one contact area with a solution suitable to provide a conductive layer on the substrate surface and i) electroplate a metal or metal alloy layer onto the conductive layer.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
--------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接,用于工作时向或由器件传导电流 |