基本信息:
- 专利标题： Method and apparatus for measuring wafer bias potential
- 申请号：JP2012525242 申请日：2010-08-18
- 公开(公告)号：JP2013502718A 公开(公告)日：2013-01-24
- 发明人： マクラチェフ・コンスタンティン , バルコア・ジョン
- 申请人： ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation
- 专利权人： ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation
- 当前专利权人： ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ
- 优先权： US54529309 2009-08-21
- 主分类号： H01L21/3065
- IPC分类号： H01L21/3065 ; H05H1/46
摘要：
【課題】
【解決手段】プラズマ形成領域およびホットエッジリングを有するウエハ処理チャンバ内で用いる装置が開示されている。 ホットエッジリングは、第１の表面と第２の表面とを有する。 第１の表面は、プラズマ形成領域と接触する。 第２の表面は、プラズマ形成領域と接触しない。 装置は、ホットエッジリングの第２の表面と接触するよう動作可能な検出器を備える。 検出器は、ホットエッジリングのパラメータを検出し、検出されたパラメータに基づいて検出信号を供給することができる。
【選択図】図３
摘要（英）：
【解決手段】プラズマ形成領域およびホットエッジリングを有するウエハ処理チャンバ内で用いる装置が開示されている。 ホットエッジリングは、第１の表面と第２の表面とを有する。 第１の表面は、プラズマ形成領域と接触する。 第２の表面は、プラズマ形成領域と接触しない。 装置は、ホットエッジリングの第２の表面と接触するよう動作可能な検出器を備える。 検出器は、ホットエッジリングのパラメータを検出し、検出されたパラメータに基づいて検出信号を供給することができる。
【選択図】図３
【Task】
An apparatus for use in a wafer processing chamber having a plasma formation region and the hot edge ring is disclosed. Hot edge ring has a first surface and a second surface. The first surface is in contact with the plasma formation area. The second surface, not in contact with the plasma-forming region. Device comprises an operable detector to contact the second surface of the hot edge ring. The detector may detect the parameters of the hot edge ring, for supplying a detection signal based on the detected parameters.
.TECHNICAL
公开/授权文献:
- JP5661113B2 ウエハバイアス電位を測定するための方法および装置 公开/授权日：2015-01-28
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/3065 | .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀 |