发明专利
JP2013245212A Semiconductor raw material, method of producing semiconductor layer, and method of producing photoelectric conversion device
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： Semiconductor raw material, method of producing semiconductor layer, and method of producing photoelectric conversion device
- 专利标题（中）：半导体原料，半导体层的制造方法以及制造光电转换装置的方法
- 申请号：JP2012122034 申请日：2012-05-29
- 公开(公告)号：JP2013245212A 公开(公告)日：2013-12-09
- 发明人： KITABAYASHI AKI , OGAWA HIROMITSU
- 申请人： Kyocera Corp , 京セラ株式会社
- 专利权人： Kyocera Corp,京セラ株式会社
- 当前专利权人： Kyocera Corp,京セラ株式会社
- 优先权： JP2012122034 2012-05-29
- 主分类号： C07C333/14
- IPC分类号： C07C333/14 ; C07F1/08 ; C07F5/00 ; C07F9/94 ; H01L31/04
摘要：
PROBLEM TO BE SOLVED: To improve photoelectric conversion efficiency in a photoelectric conversion device.SOLUTION: A semiconductor raw material includes a bismuth complex wherein a bismuth element and an organic chalcogenide compound are connected together, a I-B group element, and a III-B group element. A method of producing a semiconductor layer includes a process of producing a coating using the semiconductor raw material, and a process of heating the coating to produce a semiconductor layer including a I-III-VI group compound doped with a bismuth element.
摘要（中）：
要解决的问题：提高光电转换装置中的光电转换效率。解决方案：半导体原料包括其中铋元素和有机硫属化物化合物连接在一起的铋络合物，IB族元素和III-B族 元件。 制造半导体层的方法包括使用半导体原料制造涂层的方法，以及加热涂层以制备包含掺杂有铋元素的I-III-VI族化合物的半导体层的工艺。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C07 | 有机化学 |
| ----C07C | 无环或碳环化合物 |
| ------C07C333/00 | 硫代氨基甲酸衍生物，即含下列基团NCSS，NCOS，NCSO，NCSHal，NCSS，NCOS或NCSHal中任何一个的化合物，其中的氮原子不属于硝基或亚硝基 |
| --------C07C333/14 | .二硫代氨基甲酸；它的衍生物 |