基本信息:
- 专利标题: Process for removing material from substrate
- 专利标题(中):从基材去除材料的方法
- 申请号:JP2011268220 申请日:2011-12-07
- 公开(公告)号:JP2012069994A 公开(公告)日:2012-04-05
- 发明人: CHRISTENSON KURT KARL , HANESTAD RONALD J , RUETHER PATRICIA ANN , THOMAS J WAGNER
- 申请人: Fsi Internatl Inc , エフエスアイ インターナショナル インコーポレーテッド
- 专利权人: Fsi Internatl Inc,エフエスアイ インターナショナル インコーポレーテッド
- 当前专利权人: Fsi Internatl Inc,エフエスアイ インターナショナル インコーポレーテッド
- 优先权: US73972705 2005-11-23
- 主分类号: H01L21/304
- IPC分类号: H01L21/304 ; H01L21/027
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of removing materials, and preferably a photoresist, from a substrate (18).SOLUTION: The method comprises dispensing a liquid sulfuric acid composition comprising sulfuric acid and/or its desiccating species and precursors and having a water/sulfuric acid molar ratio of less than 5:1 onto an material coated substrate in an amount effective to substantially uniformly coat the material coated substrate. The substrate is preferably heated to a temperature of at least about 90°C, either before, during or after dispensing of the liquid sulfuric acid composition. After the substrate is at a temperature of at least about 90°C, the liquid sulfuric acid composition is exposed to water vapor in an amount effective to increase the temperature of the liquid sulfuric acid composition above the temperature of the liquid sulfuric acid composition prior to exposure to the water vapor. The substrate is then preferably rinsed to remove the material.
摘要(中):
要解决的问题:提供从基板(18)去除材料,优选光致抗蚀剂的方法。 解决方案:该方法包括将含有硫酸和/或其干燥物质和前体并且具有小于5:1的水/硫酸摩尔比的液体硫酸组合物以有效的量 基本均匀地涂覆涂覆材料的基材。 优选在液体硫酸组合物分配之前,期间或之后将基材加热至至少约90℃的温度。 在基材处于至少约90℃的温度之后,将液体硫酸组合物暴露于水蒸气中,其量可有效地将液体硫酸组合物的温度升高到高于液体硫酸组合物的温度之前, 暴露于水蒸汽。 然后优选冲洗基材以除去材料。 版权所有(C)2012,JPO&INPIT
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料 |
--------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割 |
------------------H01L21/304 | ......机械处理,例如研磨、抛光、切割 |