基本信息:
- 专利标题: Dielectric layer for electronic device
- 专利标题(中):电子设备用电介质层
- 申请号:JP2010120304 申请日:2010-05-26
- 公开(公告)号:JP2011018886A 公开(公告)日:2011-01-27
- 发明人: WU YILIANG , LIU PING , HU NAN-XING
- 申请人: Xerox Corp , ゼロックス コーポレイションXerox Corporation
- 专利权人: Xerox Corp,ゼロックス コーポレイションXerox Corporation
- 当前专利权人: Xerox Corp,ゼロックス コーポレイションXerox Corporation
- 优先权: US47434609 2009-05-29
- 主分类号: H01L21/312
- IPC分类号: H01L21/312 ; H01L29/786 ; H01L51/05 ; H01L51/30
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a material which can be purified up to an electron grade and is usable to form a dielectric layer reduced in thickness while holding desired electric characteristics.SOLUTION: A dielectric layer is formed by using a liquid composition comprising molecular glass, a crosslinking agent and a catalyst. As the molecular glass being an amorphous molecular material, an ester molecule containing -OH or -NH2, a spiro compound, a bisphenol A compound, a tetrahedral aryl silane compound, an adamantane compound, a cyclic compound, a condensation cyclic compound, a triaryl amine compound, a benzene compound, a hexaphenyl benzene compound, a triphenyl benzene compound, a naphthalene compound, an anthracene compound, a phenanthrene compound and a pyrene compound are used. Further, the molecular glass may contain a compound which is irradiated with light to produce an acid, i.e. inorganic particles such as nanoparticles, metal nanoparticles, metal oxide nanoparticles, and other inorganic nanoparticles.
摘要(中):
要解决的问题:提供可纯化至电子等级的材料,并且可以在保持所需电特性的同时形成厚度减小的电介质层。解决方案:通过使用包含分子玻璃的液体组合物形成电介质层 ,交联剂和催化剂。 作为非晶分子材料的分子玻璃,含有-OH或-NH 2的酯分子,螺环化合物,双酚A化合物,四面体芳基硅烷化合物,金刚烷化合物,环状化合物,缩合环状化合物,三芳基 胺化合物,苯化合物,六苯苯化合物,三苯基苯化合物,萘化合物,蒽化合物,菲化合物和芘化合物。 此外,分子玻璃可以含有用光照射以产生酸的化合物,即无机颗粒如纳米颗粒,金属纳米颗粒,金属氧化物纳米颗粒和其它无机纳米颗粒。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料 |
--------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割 |
------------------H01L21/312 | ......有机层,例如光刻胶 |