基本信息:
- 专利标题： Apparatus and method of double-side grinding
- 专利标题（中）：双面研磨的装置和方法
- 申请号：JP2009134449 申请日：2009-06-03
- 公开(公告)号：JP2010280026A 公开(公告)日：2010-12-16
- 发明人： FURUKAWA MASANORI
- 申请人： Fujikoshi Mach Corp , 不二越機械工業株式会社
- 专利权人： Fujikoshi Mach Corp,不二越機械工業株式会社
- 当前专利权人： Fujikoshi Mach Corp,不二越機械工業株式会社
- 优先权： JP2009134449 2009-06-03
- 主分类号： B24B37/08
- IPC分类号： B24B37/08 ; B24B37/27 ; B24B37/28 ; H01L21/304
摘要：
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a double-side grinding apparatus capable of uniformly grinding a wafer and also reducing occurrence of flaws on an outer peripheral part of the wafer to the minimum extent possible. SOLUTION: A coating layer 51 with a predetermined width and a required thickness is formed of a wear-resistant material along a periphery of a through hole 49 on upper and lower surfaces of a carrier body 44a. In addition, a shock-absorbing ring 53 made of resin with the same thickness as that of the carrier body 44a and with a required width is attached to an inner peripheral wall of the through hole 49. The wafer 55 is held in the shock-absorbing ring 53. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要（中）：
要解决的问题：提供能够均匀研磨晶片的双面研磨装置，并且还可以最小程度地减少晶片的外周部分上的缺陷的发生。 解决方案：具有预定宽度和所需厚度的涂层51由承载体44a的上表面和下表面上的通孔49的周边的耐磨材料形成。 此外，在通孔49的内周壁上安装有由具有与载体主体44a相同的厚度的树脂制成的并具有所需宽度的减震环53。 吸收环53.版权所有（C）2011，JPO＆INPIT
公开/授权文献:
- JP5452984B2 Double-sided polishing method of the wafer 公开/授权日：2014-03-26
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| B | 作业；运输 |
| --B24 | 磨削；抛光 |
| ----B24B | 用于磨削或抛光的机床、装置或工艺；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给 |
| ------B24B37/00 | 研磨机床或装置，即需要在相对软但仍为刚性的研具和被研磨表面之间加入粉末状磨料；及其附件 |
| --------B24B37/005 | .研磨机床或装置的控制装置 |
| ----------B24B37/07 | ..以工件或研具的运动为特征 |
| ------------B24B37/08 | ...用于双侧研磨 |