基本信息:
- 专利标题： Semiconductor device and its manufacturing method
- 专利标题（中）：半导体器件及其制造方法
- 申请号：JP2007219278 申请日：2007-08-27
- 公开(公告)号：JP2009054747A 公开(公告)日：2009-03-12
- 发明人： NISHIMURA TAKAO
- 申请人： Fujitsu Microelectronics Ltd , 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
- 专利权人： Fujitsu Microelectronics Ltd,富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
- 当前专利权人： Fujitsu Microelectronics Ltd,富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
- 优先权： JP2007219278 2007-08-27
- 主分类号： H01L25/065
- IPC分类号： H01L25/065 ; H01L21/60 ; H01L23/12 ; H01L23/28 ; H01L25/07 ; H01L25/18
摘要：
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device for inhibiting a warp from occurring when wire-bonding on a protrusion of a semiconductor element to be laminated and having a carrying member not to upsize the semiconductor device, and also to provide its manufacturing method. SOLUTION: The semiconductor device to solve the problem includes: a supporting base having an electrode terminal provided; an intermediate member mounted on the supporting base; a semiconductor element partially supported by the intermediate member and provided on the supporting base; and a protruding member provided on the supporting base or the intermediate member corresponding to an electrode terminal of the semiconductor element. The electrode terminal of the semiconductor element and the electrode terminal on the supporting base are connected via a bonding wire. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要（中）：
要解决的问题：提供一种半导体器件，用于抑制在要层压并具有承载构件的半导体元件的突起上引线接合时不发生翘曲而不使半导体器件升高的半导体器件，并且还提供其 制造方法。 解决方案：解决该问题的半导体器件包括：具有电极端子的支撑基座; 安装在所述支撑基座上的中间构件; 由所述中间部件部分地支撑并设置在所述支撑基座上的半导体元件; 以及设置在与半导体元件的电极端子对应的支撑基座或中间构件上的突出构件。 半导体元件的电极端子和支撑基座上的电极端子经由接合线连接。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT
公开/授权文献:
- JP5205867B2 Semiconductor device and a method of manufacturing the same 公开/授权日：2013-06-05
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L25/00 | 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件 |
| --------H01L25/03 | .所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件 |
| ----------H01L25/04 | ..不具有单独容器的器件 |
| ------------H01L25/065 | ...包含在H01L27/00组类型的器件 |