基本信息:
- 专利标题： Semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体器件
- 申请号：JP2005294591 申请日：2005-10-07
- 公开(公告)号：JP2007103824A 公开(公告)日：2007-04-19
- 发明人： SAITO KAZUMI
- 申请人： Nec Electronics Corp , Necエレクトロニクス株式会社
- 专利权人： Nec Electronics Corp,Necエレクトロニクス株式会社
- 当前专利权人： Nec Electronics Corp,Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社
- 优先权： JP2005294591 2005-10-07
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768
摘要：
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device in which electrical connection between a tungsten film and a barrier metal film is stabilized and film forming property of a wiring layer is improved in a simple method. SOLUTION: This semiconductor device comprises a semiconductor substrate 101, an inter-layer insulating film 102 having an opening part 102a formed on the semiconductor substrate 101, a tungsten film (W plug 108) filling the opening 102a, a first barrier metal film 110 other than a Ti film which is formed on the surface of the tungsten film, a second barrier metal film 111 which is a Ti-containing film and formed on the first barrier metal film 110, and a metal wiring film 116 formed on the surface of the second barrier metal film 111. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要（中）：
要解决的问题：提供一种半导体器件，其中钨膜和阻挡金属膜之间的电连接稳定，并且以简单的方法提高了布线层的成膜性能。 解决方案：该半导体器件包括半导体衬底101，具有形成在半导体衬底101上的开口部102a的层间绝缘膜102，填充开口102a的钨膜（W插头108），第一阻挡金属 除了形成在钨膜表面上的Ti膜以外，形成在第一阻挡金属膜110上的含Ti膜的第二阻挡金属膜111和形成在第一阻挡金属膜110上的金属配线膜116 第二阻挡金属膜111的表面。（C）2007，JPO＆INPIT
公开/授权文献:
- JP4718962B2 Semiconductor device 公开/授权日：2011-07-06
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |