基本信息:
- 专利标题： Vcsel system with lateral p-n juunction
- 专利标题（中）：具有侧向P-N功能的VCSEL系统
- 申请号：JP2006199254 申请日：2006-07-21
- 公开(公告)号：JP2007036233A 公开(公告)日：2007-02-08
- 发明人： MILLER JEFFREY N , CORZINE SCOTT W , BOUR DAVID
- 申请人： Avago Technologies General Ip (Singapore) Private Ltd , アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド
- 专利权人： Avago Technologies General Ip (Singapore) Private Ltd,アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド
- 当前专利权人： Avago Technologies General Ip (Singapore) Private Ltd,アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド
- 优先权： US18747705 2005-07-22
- 主分类号： H01S5/183
- IPC分类号： H01S5/183
摘要：
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a GaN VCSEL with a multiple gain region capable of suppressing loss and obtaining larger optical gain. SOLUTION: In the vertical cavity of VCSEL, the multiple gain regions are formed with separated spacers. Each gain region includes a quantum well consisting of multiple quantum well layers. The lateral p-n junction is formed between this quantum well and an outer shell section formed around the vertical cavity. Photons are generated in the multiple gain region by applying forward bias to the lateral p-n junction. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要（中）：
要解决的问题：为了提供具有能够抑制损耗并获得较大光学增益的多增益区域的GaN VCSEL。 解决方案：在VCSEL的垂直腔中，多个增益区域由分离的间隔物形成。 每个增益区域包括由多个量子阱层组成的量子阱。 在该量子阱和形成在垂直腔周围的外壳部分之间形成横向p-n结。 通过向横向p-n结施加正向偏压，在多增益区域中产生光子。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT