发明专利
JP2005531136A Gate oxidation method of the high performance mos transistor by reducing remote scattering
有权
基本信息:
- 专利标题： Gate oxidation method of the high performance mos transistor by reducing remote scattering
- 申请号：JP2004508392 申请日：2003-05-13
- 公开(公告)号：JP2005531136A 公开(公告)日：2005-10-13
- 发明人： チョン ジューング , キム ヒョン−シーグ
- 申请人： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated
- 专利权人： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドAdvanced Micro Devices Incorporated
- 当前专利权人： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッドＡｄｖａｎｃｅｄ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ
- 优先权： US15126902 2002-05-20
- 主分类号： H01L21/283
- IPC分类号： H01L21/283 ; H01L21/28 ; H01L29/423 ; H01L29/49 ; H01L29/51 ; H01L29/78
摘要：
本発明はＭＯＳトランジスタ構造（２００、２１０、４００）とその形成方法（３００、５００）に関するものであり、減少したゲートリーク電流に対し高誘電率誘電体ゲート絶縁膜（２０２、４０２）を提供し、一方で同時にリモート散乱を減少させ、その結果トランジスタのキャリア移動度を向上させるものである。
摘要（英）：
The present invention relates to a method of forming the same MOS transistor structure (200,210,400) (300, 500), with respect to reduced gate leakage current and provide a high-k dielectric gate insulating film (202, 402) , while the decreasing the remote scattering simultaneously, thereby improving the carrier mobility of the resulting transistor.
公开/授权文献:
- JP4624782B2 Mos transistor and a method of forming the same 公开/授权日：2011-02-02
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/283 | .....用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积 |