基本信息:
- 专利标题： Semiconductor device and manufacturing method therefor
- 专利标题（中）：半导体器件及其制造方法
- 申请号：JP2003204578 申请日：2003-07-31
- 公开(公告)号：JP2005050954A 公开(公告)日：2005-02-24
- 发明人： WATANABE KATSURA , NAGAMATSU TAKAHITO
- 申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
- 专利权人： Toshiba Corp,株式会社東芝
- 当前专利权人： Toshiba Corp,株式会社東芝
- 优先权： JP2003204578 2003-07-31
- 主分类号： H01L21/312
- IPC分类号： H01L21/312 ; H01L21/316 ; H01L21/768 ; H01L23/522 ; H01L23/532
摘要：
PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the mechanical strength and interface adhesion of a low dielectric constant layer containing a methyl group, which is formed on a methyl group content silicon nitride film for Cu diffusion prevention. SOLUTION: A first methyl group content silicon nitride film 15a is arranged on a lower layer insulating film 12 where first Cu wiring 14a is formed. A buffer layer 16 whose FT-IR peak height ratio is set not more than 22% and whose thickness is about 10nm is formed on the methyl group content silicon nitride film 15a. A low dielectric constant layer 17 whose FT-IR peak height ratio is set not less than 25% and whose dielectric constant is set not more than 3.1 is disposed through the buffer layer 16. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要（中）：
要解决的问题：为了提高含有甲基的低介电常数层的机械强度和界面附着力，其形成在用于Cu扩散防止的甲基含量的氮化硅膜上。 解决方案：第一个甲基含量的氮化硅膜15a被布置在形成第一Cu布线14a的下层绝缘膜12上。 在甲基含量的氮化硅膜15a上形成FT-IR峰高比设定为22％以下且厚度约为10nm的缓冲层16。 FT-IR峰高比设定为25％以上且介电常数不大于3.1的低介电常数层17设置在缓冲层16上。（C）2005，JPO＆NCIPI
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/312 | ......有机层，例如光刻胶 |