基本信息:
- 专利标题： HYBRID CHANNEL REGION FOR GATE ALL AROUND (GAA) TRANSISTOR STRUCTURES
- 申请号：EP22908555.0 申请日：2022-11-03
- 公开(公告)号：EP4449500A1 公开(公告)日：2024-10-23
- 发明人： MURTHY, Anand , MAJHI, Prashant , GLASS, Glenn
- 申请人： INTEL Corporation
- 申请人地址： US Santa Clara, CA 95054 2200 Mission College Blvd.
- 专利权人： INTEL Corporation
- 当前专利权人： INTEL Corporation
- 当前专利权人地址： US Santa Clara, CA 95054 2200 Mission College Blvd.
- 代理机构： Goddar, Heinz J.
- 优先权： US 2117553397 2021.12.16
- 国际申请： US2022079210 2022.11.03
- 国际公布： WO2023114583 2023.06.22
- 主分类号： H01L27/092
- IPC分类号： H01L27/092 ; H01L29/04 ; H01L29/786 ; H01L29/423 ; H01L29/06 ; H01L29/66
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/085 | ....只包含场效应的组件 |
| ----------------H01L27/088 | .....有绝缘栅场效应晶体管的组件 |
| ------------------H01L27/092 | ......互补MIS场效应晶体管 |