基本信息:
- 专利标题： SHORT GATE ON ACTIVE AND LONGER GATE ON STI FOR NANOSHEETS
- 申请号：EP22809086.6 申请日：2022-10-25
- 公开(公告)号：EP4430670A1 公开(公告)日：2024-09-18
- 发明人： ZHANG, Chen , CHENG, Kangguo , XU, Wenyu , XIE, Ruilong
- 申请人： International Business Machines Corporation
- 申请人地址： US Armonk, NY 10504 New Orchard Road
- 专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人地址： US Armonk, NY 10504 New Orchard Road
- 代理机构： IBM United Kingdom Limited
- 优先权： US 2117524851 2021.11.12
- 国际申请： EP2022079724 2022.10.25
- 国际公布： WO2023083601 2023.05.19
- 主分类号： H01L29/775
- IPC分类号： H01L29/775 ; H01L21/336 ; H01L29/06 ; H01L29/423 ; H01L21/8234 ; B82Y10/00
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/775 | .....带有一维载流子气沟道的，如量子线FET |