基本信息:
- 专利标题： SCHOTTKY BARRIER DIODE
- 申请号：EP23793984.8 申请日：2023-06-08
- 公开(公告)号：EP4404277A1 公开(公告)日：2024-07-24
- 发明人： HASHIMOTO, Masaki , SUEMOTO, Ryuji , SENDA, Satoru
- 申请人： Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd.
- 申请人地址： JP Tokyo 100-0004 2-1 Ohtemachi 2-chome Chiyoda-ku
- 专利权人： Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd.
- 当前专利权人： Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo 100-0004 2-1 Ohtemachi 2-chome Chiyoda-ku
- 代理机构： Isern Patentes y Marcas S.L.
- 优先权： JP 22194924 2022.12.06
- 国际申请： JP2023022170 2023.06.08
- 国际公布： WO2024122085 2024.06.13
- 主分类号： H01L29/872
- IPC分类号： H01L29/872 ; H01L21/329 ; H01L29/06 ; H01L29/47
摘要：
Provided is a Schottky barrier diode capable of controlling a Schottky barrier height (ΦBn) to various values. The Schottky barrier diode including: a silicon layer; and a silicide layer that is disposed on the silicon layer and contains Pt and Ni. A peak value of a concentration of Pt in the silicide layer with a thickness of 50 nm on the silicide layer side from an interface between the silicide layer and the silicon layer, or a peak value of the concentration of Pt in the silicide layer in a case where the thickness of the silicide layer is less than 50 nm is 1 at% to 60 at%.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/86 | ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的 |
| ------------H01L29/861 | ...二极管 |
| --------------H01L29/872 | ....肖特基二极管 |