基本信息:
- 专利标题： PROCÉDÉ DE TRANSFORMATION D'UN SUPPORT
- 申请号：EP23216159.6 申请日：2023-12-13
- 公开(公告)号：EP4398288A1 公开(公告)日：2024-07-10
- 发明人： LAURENT, Romain , MEHREZ, Zouhir
- 申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
- 申请人地址： FR 75015 Paris Bâtiment "Le Ponant D" 25 rue Leblanc
- 专利权人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
- 当前专利权人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES
- 当前专利权人地址： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES
- 代理机构： Hautier IP
- 优先权： FR 13748 2022.12.19
- 主分类号： H01L21/308
- IPC分类号： H01L21/308 ; H01L21/02 ; H01L21/266 ; H01L23/31
摘要：
L'invention concerne un procédé de transformation d'un support comprenant les étapes suivantes :
- fournir un support (10) présentant une face supérieure (11),
- réaliser un revêtement de protection (100) surmontant au moins partiellement une zone périphérique (14) de la face supérieure formant un contour fermé autour d'une zone centrale (15) de la face supérieure.
Le procédé se caractérise en ce que la réalisation du revêtement de protection comprend les étapes suivantes :
- former une première couche (20) d'une résine photosensible inversible surmontant la face supérieure du support,
- exposer une première portion (24) de la première couche de résine photosensible avec une première dose d'insolation supérieure à la dose d'inversion de la résine, la première portion couvrant strictement la même surface de la face supérieure que le revêtement de protection, de sorte à former le revêtement de protection.
- fournir un support (10) présentant une face supérieure (11),
- réaliser un revêtement de protection (100) surmontant au moins partiellement une zone périphérique (14) de la face supérieure formant un contour fermé autour d'une zone centrale (15) de la face supérieure.
Le procédé se caractérise en ce que la réalisation du revêtement de protection comprend les étapes suivantes :
- former une première couche (20) d'une résine photosensible inversible surmontant la face supérieure du support,
- exposer une première portion (24) de la première couche de résine photosensible avec une première dose d'insolation supérieure à la dose d'inversion de la résine, la première portion couvrant strictement la même surface de la face supérieure que le revêtement de protection, de sorte à former le revêtement de protection.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/308 | .......应用掩膜的 |