基本信息:
- 专利标题： METAL OXYNITRIDE BACK CONTACT LAYERS FOR PHOTOVOLTAIC DEVICES
- 申请号：EP24170320.6 申请日：2020-02-06
- 公开(公告)号：EP4386872A2 公开(公告)日：2024-06-19
- 发明人： Jin, Changming , Sankar, Vijay Karthik
- 申请人： First Solar, Inc.
- 申请人地址： US Tempe, AZ 85288 350 West Washington Street, 6th Floor,
- 专利权人： First Solar, Inc.
- 当前专利权人： First Solar, Inc.
- 当前专利权人地址： US Tempe, AZ 85288 350 West Washington Street, 6th Floor,
- 代理机构： D Young & Co LLP
- 优先权： US 1962801965P 2019.02.06
- 分案原申请号： 20709905.2 2020.02.06
- 主分类号： H01L31/073
- IPC分类号： H01L31/073
摘要：
According to the embodiments provided herein, back contacts for photovoltaic devices can include one or more metal oxynitride layers.
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/042 | ..包括光电池板或阵列，如太阳电池板或阵列 |
| ------------H01L31/072 | ...只是PN异质结型势垒的 |
| --------------H01L31/073 | ....只包括AIIBVI化合物的半导体，例如CdS/CdTe太阳能电池 |