基本信息:
- 专利标题： ENHANCED STRESS TUNING AND INTERFACIAL ADHESION FOR TUNGSTEN (W) GAP FILL
- 申请号：EP22850077.3 申请日：2022-07-12
- 公开(公告)号：EP4377993A1 公开(公告)日：2024-06-05
- 发明人： CEN, Xi , TAEWOONG, Yun , PETHE, Shirish A. , WU, Kai , SASAKI, Nobuyuki , LEI, Wei
- 申请人： Applied Materials, Inc.
- 申请人地址： US Santa Clara, California 95054 3050 Bowers Avenue
- 专利权人： Applied Materials, Inc.
- 当前专利权人： Applied Materials, Inc.
- 当前专利权人地址： US Santa Clara, California 95054 3050 Bowers Avenue
- 代理机构： Zimmermann & Partner Patentanwälte mbB
- 优先权： US 202163225623 P 2021.07.26
- 国际申请： US2022036792 2022.07.12
- 国际公布： WO2023009303 2023.02.02
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/285 ; H01L23/532
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |