发明公开
EP4348713A1 SPIN-ORBIT TORQUE (SOT) MAGNETORESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY (MRAM) WITH LOW RESISTIVITY SPIN HALL EFFECT (SHE) WRITE LINE
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基本信息:
- 专利标题： SPIN-ORBIT TORQUE (SOT) MAGNETORESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY (MRAM) WITH LOW RESISTIVITY SPIN HALL EFFECT (SHE) WRITE LINE
- 申请号：EP22728822.2 申请日：2022-05-11
- 公开(公告)号：EP4348713A1 公开(公告)日：2024-04-10
- 发明人： FROUGIER, Julien , HOUSSAMEDDINE, Dimitri , XIE, Ruilong , CHENG, Kangguo
- 申请人： International Business Machines Corporation
- 申请人地址： US Armonk, New York 10504 New Orchard Road
- 代理机构： IBM United Kingdom Limited
- 优先权： US202117331941 20210527
- 国际公布： WO2022248224 20221201
- 主分类号： H01L27/22
- IPC分类号： H01L27/22 ; G11C11/02 ; H01L43/02 ; H01L43/08 ; H01L43/12 ; G11C11/16
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/22 | .包括有利用电—磁效应的组件的，例如霍尔效应；应用类似磁场效应的 |