发明公开
EP3994722A1 STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE COMPRENANT UNE COUCHE POREUSE ENTERREE, POUR APPLICATIONS RF
审中-实审
转让
基本信息:
- 专利标题： STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE COMPRENANT UNE COUCHE POREUSE ENTERREE, POUR APPLICATIONS RF
- 专利标题（英）：SEMICONDUCTOR STRUCTURE COMPRISING AN UNDERGROUND POROUS LAYER, FOR RF APPLICATIONS
- 申请号：EP20712591.5 申请日：2020-03-25
- 公开(公告)号：EP3994722A1 公开(公告)日：2022-05-11
- 发明人： AUGENDRE, Emmanuel , GAILLARD, Frédéric , LORNE, Thomas , ROLLAND, Emmanuel , VEYTIZOU, Christelle , BERTRAND, Isabelle , ALLIBERT, Frédéric
- 申请人： SOITEC , Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
- 申请人地址： FR 38190 Bernin Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques; FR 75015 Paris Bâtiment le Ponant 25, rue Leblanc
- 当前专利权人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES
- 当前专利权人地址： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES
- 代理机构： IP Trust
- 优先权： FR1907328 20190702
- 国际公布： WO2021001066 20210107
- 主分类号： H01L21/762
- IPC分类号： H01L21/762
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/76 | ...组件间隔离区的制作 |
| --------------H01L21/762 | ....介电区 |