基本信息:
- 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR SYSTEM INCLUDING SEMICONDUCTOR DEVICE
- 申请号：EP19833736.2 申请日：2019-07-11
- 公开(公告)号：EP3823038A1 公开(公告)日：2021-05-19
- 发明人： SUGIMOTO Masahiro , TAKAHASHI Isao , SHINOHE Takashi
- 申请人： Flosfia Inc.
- 申请人地址： JP Kyoto 615-8245 1-29, Goryoohara Nishikyo-ku Kyoto-shi
- 代理机构： Gulde & Partner
- 优先权： JP2018132758 20180712
- 国际公布： WO2020013260 20200116
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/336 ; H01L21/338 ; H01L21/365 ; H01L21/368 ; H01L29/12 ; H01L29/24 ; H01L29/47 ; H01L29/78 ; H01L29/812 ; H01L29/872
摘要：
A semiconductor device including at least one inversion channel region includes an oxide semiconductor film containing a crystal that has a corundum structure at the inversion channel region.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |