基本信息:
- 专利标题： INFRARED SENSOR AND INFRARED GAS DETECTOR
- 申请号：EP19825414.6 申请日：2019-06-26
- 公开(公告)号：EP3783669B1 公开(公告)日：2023-11-29
- 发明人： WAN, Xia , LU, Xinkai , RAO, Huanhuan , WU, Chengyu , HUANG, Longzhong , YIN, Bin , HUANG, Lin-Jie
- 专利权人： Hangzhou Sanhua Research Institute Co., Ltd.
- 当前专利权人： Hangzhou Sanhua Research Institute Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： No.289-2, 12th Street Hangzhou Economic & Technological Development Area Hangzhou, Zhejiang 310018 CN
- 代理机构： Sun, Yiming
- 优先权： CN201810671851 20180626
- 国际公布： WO2020001471 20200102
- 主分类号： H01L31/108
- IPC分类号： H01L31/108 ; H01L31/028 ; H01L31/0224 ; H01L31/0232 ; H01L31/112 ; H01L31/09 ; H01L27/144 ; G01N21/3504 ; G01J3/02 ; G01J3/10 ; G01J3/42 ; G01J5/04 ; G08B21/12 ; G08B17/103 ; G01J1/42
公开/授权文献:
- EP3783669A1 INFRARED SENSOR AND INFRARED GAS DETECTOR 公开/授权日：2021-02-24
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/10 | ..特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管 |
| ------------H01L31/101 | ...对红外、可见或紫外辐射敏感的器件 |
| --------------H01L31/102 | ....仅以一个势垒或面垒为特征的 |
| ----------------H01L31/108 | .....为肖特基型势垒的 |