基本信息:
- 专利标题： MEMORY CELL AND METHODS THEREOF
- 申请号：EP18769177.9 申请日：2018-09-12
- 公开(公告)号：EP3701562A1 公开(公告)日：2020-09-02
- 发明人： MÜLLER, Stefan Ferdinand , NOACK, Marko , OCKER, Johannes , JÄHNE, Rolf
- 申请人： Ferroelectric Memory GmbH
- 申请人地址： Maria-Reiche-Str. 3 01109 Dresden DE
- 专利权人： Ferroelectric Memory GmbH
- 当前专利权人： Ferroelectric Memory GmbH
- 当前专利权人地址： Maria-Reiche-Str. 3 01109 Dresden DE
- 代理机构： Viering, Jentschura & Partner mbB Patent- und Rechtsanwälte
- 优先权： US201715796154 20171027
- 国际公布： WO2019081117 20190502
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L27/11507 ; H01L27/1159 ; H01L29/78
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |