基本信息:
- 专利标题： 3D SEMICONDUCTOR DEVICE, STRUCTURE AND METHODS
- 申请号：EP18859335.4 申请日：2018-09-23
- 公开(公告)号：EP3685440A1 公开(公告)日：2020-07-29
- 发明人： OR-BACH, Zvi , HAN, Jin-Woo , CRONQUIST, Brian , LUSKY, Eli
- 申请人： Monolithic 3D Inc.
- 申请人地址： 3555 Woodford Drive San Jose, California 95124 US
- 专利权人： Monolithic 3D Inc.
- 当前专利权人： Monolithic 3D Inc.
- 当前专利权人地址： 3555 Woodford Drive San Jose, California 95124 US
- 代理机构： Romano, Giuseppe
- 优先权： US201762562457P 20170924; US201862645794P 20180320; US201862651722P 20180403; US201862681249P 20180606; US201862689058P 20180623; US201862696803P 20180711; US201862713345P 20180801; US201862726969P 20180904; US201862733005P 20180918
- 国际公布： WO2019060798 20190328
- 主分类号： H01L27/11556
- IPC分类号： H01L27/11556 ; H01L27/11524 ; H01L27/11582 ; H01L27/1157
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |
| --------------------H01L27/11502 | .......具有铁电体存储器电容器的 |
| ----------------------H01L27/11551 | ........以三维布置为特征的，例如，单元胞在不同的高度层 |
| ------------------------H01L27/11553 | .........具有在不同层的源区和漏区的，例如，具有倾斜沟道的 |
| --------------------------H01L27/11556 | ..........沟道具有垂直部分的，例如，U形沟道 |