基本信息:
- 专利标题： GATE LINE PLUG STRUCTURES FOR ADVANCED INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE FABRICATION
- 申请号：EP18203569.1 申请日：2018-10-30
- 公开(公告)号：EP3493249B1 公开(公告)日：2024-08-14
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： INTEL CORPORATION
- 当前专利权人地址： INTEL CORPORATION
- 代理机构： Goddar, Heinz J.
- 优先权： US 1762593149P 2017.11.30
- 主分类号： H01L21/308
- IPC分类号： H01L21/308 ; H01L21/762 ; H01L21/768 ; H01L21/8238 ; H01L23/485 ; H01L23/522 ; H01L29/165 ; H01L29/417 ; H01L29/78 ; H01L21/8234 ; H01L27/088 ; H01L21/033 ; H01L29/66 ; H01L23/532 ; H01L27/092
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/308 | .......应用掩膜的 |