发明公开
EP3400607A2 VAPOR DISPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS USING PENTA-SUBSTITUTED DISILANES
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： VAPOR DISPOSITION OF SILICON-CONTAINING FILMS USING PENTA-SUBSTITUTED DISILANES
- 申请号：EP16881337.6 申请日：2016-12-16
- 公开(公告)号：EP3400607A2 公开(公告)日：2018-11-14
- 发明人： GIRARD, Jean-Marc , KO, Changhee , OSHCHEPKOV, Ivan , YANAGITA, Kazutaka , OKUBO, Shingo , NODA, Naoto , GATINEAU, Julien
- 申请人： L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude
- 申请人地址： 75 quai d'Orsay 75007 Paris FR
- 专利权人： L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude
- 当前专利权人： L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude
- 当前专利权人地址： 75 quai d'Orsay 75007 Paris FR
- 代理机构： Grout de Beaufort, François-Xavier
- 优先权： US201514979816 20151228
- 国际公布： WO2017115147 20170706
- 主分类号： H01L21/316
- IPC分类号： H01L21/316 ; C23C16/455 ; H01L21/31
摘要：
Disclosed are methods of depositing silicon-containing films on one or more substrates via vapor deposition processes using penta-substituted disilanes, such as pentahalodisilane or pentakis(dimethylamino)disilane.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/314 | ......无机层 |
| --------------------H01L21/316 | .......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层 |