EP3364462B1 THIN FILM TRANSISTOR, MAKING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THEREOF
有权
基本信息:
- 专利标题： THIN FILM TRANSISTOR, MAKING METHOD THEREOF, AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THEREOF
- 申请号：EP18156640.7 申请日：2018-02-14
- 公开(公告)号：EP3364462B1 公开(公告)日：2022-08-31
- 发明人： HAHM, Suk Gyu , PARK, Jeong II , YUN, Youngjun , KIM, Joo Young , LEE, Yong Uk
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： 129, Samsung-ro Yeongtong-gu Suwon-si, Gyeonggi-do 16677 KR
- 代理机构： Elkington and Fife LLP
- 优先权： KR20170020535 20170215
- 主分类号： H01L29/423
- IPC分类号： H01L29/423 ; H01L51/05
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/41 | ..以其形状、相对尺寸或位置为特征的 |
| ------------H01L29/423 | ...不通有待整流、放大或切换电流的 |