基本信息:
- 专利标题： A METHOD FOR GaN VERTICAL MICROCAVITY SURFACE EMITTING LASER (VCSEL)
- 专利标题（中）：GaN垂直微孔表面发射激光器（VCSEL）的一种方法
- 申请号：EP15846362.0 申请日：2015-09-30
- 公开(公告)号：EP3201952A1 公开(公告)日：2017-08-09
- 发明人： HAN, Jung , ZHANG, Cheng
- 申请人： Yale University
- 申请人地址： Two Whitney Avenue New Haven, CT 06511 US
- 专利权人： Yale University
- 当前专利权人： Yale University
- 当前专利权人地址： Two Whitney Avenue New Haven, CT 06511 US
- 代理机构： Thibon, Laurent
- 优先权： US201462057543P 20140930
- 国际公布： WO2016054232 20160407
- 主分类号： H01L33/32
- IPC分类号： H01L33/32
摘要：
Structures and methods for forming highly uniform and high-porosity gallium-nitride layers with sub-100-nm pore sizes are described. Electrochemical etching of heavily-doped gallium nitride at low bias voltages in concentrated nitric acid is used to form the porous gallium nitride. The porous layers may be used in reflective structures for integrated optical devices such as VCSELs and LEDs.
摘要（中）：
描述了形成具有小于100nm孔径的高度均匀和高孔隙率的氮化镓层的结构和方法。 使用浓硝酸中的低偏置电压对重掺杂氮化镓进行电化学蚀刻以形成多孔氮化镓。 多孔层可以用于诸如VCSEL和LED的集成光学器件的反射结构。
公开/授权文献:
- EP3201952B1 A METHOD FOR GAN VERTICAL MICROCAVITY SURFACE EMITTING LASER 公开/授权日：2023-03-29
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L33/16 | ..具有一个特殊晶体结构或取向，例如多晶的、非晶的或多孔的 |
| ------------H01L33/30 | ...只包括周期体系中的III族和V族的元素 |
| --------------H01L33/32 | ....含氮 |