基本信息:
- 专利标题： 1S1R MEMORY CELLS INCORPORATING A BARRIER LAYER
- 专利标题（中）：1S1R内存单元包含一个屏障层
- 申请号：EP14902489.5 申请日：2014-09-25
- 公开(公告)号：EP3198645A1 公开(公告)日：2017-08-02
- 发明人： KARPOV, Elijah V. , MUKHERJEE, Niloy , MAJHI, Prashant , CHAU, Robert S.
- 申请人： Intel Corporation
- 申请人地址： 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95054 US
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95054 US
- 代理机构： Goddar, Heinz J.
- 国际公布： WO2016048330 20160331
- 主分类号： H01L27/115
- IPC分类号： H01L27/115 ; H01L27/11502
摘要：
Thin film 1S1R bitcells incorporating a barrier between selector and memory elements. Devices incorporating such bitcells and methods of forming such bitcells are also described. In embodiments, the selector and memory element is each a dielectric material, and advantageously a metal oxide. Between the selector and memory elements is a barrier, which is to reduce intermixing and/or reaction of selector material and memory material. Addition of a barrier layer having suitable material properties into the 1S1R stack may extend the operating lifetime of a bitcell incorporated the stack by resisting intermixing and/or reaction of the selector and memory thin film materials driven by thermal and/or electric field stresses experienced by a bitcell during operation. In embodiments, a barrier layer may include one or more material layers having a composition distinct from the material composition(s) of the selector and memory elements.
摘要（中）：
薄膜1S1R位单元在选择器和存储器元件之间包含屏障。 还描述了包含这种位单元的器件以及形成这种位单元的方法。 在实施例中，选择器和存储器元件各自是电介质材料，并且有利地是金属氧化物。 在选择器和存储器元件之间是屏障，其用于减少选择器材料和存储器材料的混合和/或反应。 向1S1R叠层中添加具有合适材料特性的阻挡层可以通过抵抗选择器和存储器薄膜材料的混合和/或反应来延长并入叠层中的位单元的工作寿命，所述选择器和存储器薄膜材料由 操作过程中的位单元。 在实施例中，阻挡层可以包括具有与选择器和存储器元件的材料组成不同的组成的一个或多个材料层。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |