发明公开
EP3198634A1 MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM (MEMS) BOND RELEASE STRUCTURE AND METHOD OF WAFER TRANSFER FOR THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT (3D IC) INTEGRATION
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM (MEMS) BOND RELEASE STRUCTURE AND METHOD OF WAFER TRANSFER FOR THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT (3D IC) INTEGRATION
- 专利标题（中）：三维集成电路（3D IC）集成的微电子机械系统（MEMS）键释放结构和晶片传输方法
- 申请号：EP15767645.3 申请日：2015-09-08
- 公开(公告)号：EP3198634A1 公开(公告)日：2017-08-02
- 发明人： LAN, Je-Hsiung Jeffrey , ZHANG, Wenyue , DU, Yang , LEE, Yong Ju , GU, Shiqun , XIE, Jing
- 申请人： Qualcomm Incorporated
- 申请人地址： 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121-1714 US
- 专利权人： Qualcomm Incorporated
- 当前专利权人： Qualcomm Incorporated
- 当前专利权人地址： 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121-1714 US
- 代理机构： Dunlop, Hugh Christopher
- 优先权： US201414498965 20140926
- 国际公布： WO2016048649 20160331
- 主分类号： H01L21/822
- IPC分类号： H01L21/822 ; H01L21/683 ; H01L27/06
摘要：
A microelectromechanical system (MEMS) bond release structure is provided for manufacturing of three-dimensional integrated circuit (3D IC) devices with two or more tiers. The MEMS bond release structure includes a MEMS sacrificial release layer which may have a pillar or post structure, or alternatively, a continuous sacrificial layer for bonding and release.
摘要（中）：
提供微机电系统（MEMS）结合释放结构用于制造具有两层或更多层的三维集成电路（3D IC）器件。 MEMS结合释放结构包括MEMS牺牲释放层，其可以具有柱或柱结构，或者可选地，用于结合和释放的连续牺牲层。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |