基本信息:
- 专利标题： FLASH MEMORY SYSTEM WITH EEPROM FUNCTIONALITY
- 申请号：EP15744830.9 申请日：2015-07-17
- 公开(公告)号：EP3178086B1 公开(公告)日：2019-03-06
- 发明人： TRAN, Hieu, Van , NGUYEN, Hung, Quoc , DO, Nhan , TIWARI, Vipin
- 申请人： Silicon Storage Technology Inc.
- 申请人地址： 450 Holger Way San Jose, CA 95134 US
- 专利权人： Silicon Storage Technology Inc.
- 当前专利权人： Silicon Storage Technology Inc.
- 当前专利权人地址： 450 Holger Way San Jose, CA 95134 US
- 代理机构： Betten & Resch
- 优先权： US201414455698 20140808
- 国际公布： WO2016022275 20160211
- 主分类号： G11C16/16
- IPC分类号： G11C16/16 ; G11C16/04 ; G11C7/18
公开/授权文献:
- EP3178086A1 FLASH MEMORY SYSTEM WITH EEPROM FUNCTIONALITY 公开/授权日：2017-06-14
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G11 | 信息存储 |
| ----G11C | 静态存储器 |
| ------G11C16/00 | 可擦除可编程序只读存储器 |
| --------G11C16/02 | .电可编程序的 |
| ----------G11C16/06 | ..辅助电路，例如，用于写入存储器的 |
| ------------G11C16/10 | ...编程或数据输入电路 |
| --------------G11C16/14 | ....用于电擦除的电路，例如擦除电压开关电路 |
| ----------------G11C16/16 | .....用于擦除块的，例如，阵列、字、组 |