专利号EP15731223.2 | METHOD OF MAKING THREE DIMENSIONAL NAND DEVICE WITH CHANNEL CONTACTING CONDUCTIVE SOURCE LINE

专利标题： METHOD OF MAKING THREE DIMENSIONAL NAND DEVICE WITH CHANNEL CONTACTING CONDUCTIVE SOURCE LINE
申请号：EP15731223.2 申请日：2015-06-15
公开(公告)号：EP3161868B1 公开(公告)日：2020-01-08
发明人： ZHANG, Yanli , SHOJI, Go , ALSMEIER, Johann , PACHAMUTHU, Jayavel , DONG, Yingda , YUAN, Jiahui
申请人： SanDisk Technologies LLC
申请人地址： Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, Texas 75024 US
专利权人： SanDisk Technologies LLC
当前专利权人： SANDISK TECHNOLOGIES, INC., MILPITAS, US
当前专利权人地址： SANDISK TECHNOLOGIES, INC., MILPITAS, US
代理机构： Dehns
优先权： US201414317274 20140627
国际公布： WO2015200021 20151230
主分类号： H01L27/1157
IPC分类号： H01L27/1157 ; H01L27/11565 ; H01L27/11582

H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L27/00	由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
--------H01L27/02	.包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
----------H01L27/04	..其衬底为半导体的
------------H01L27/06	...在非重复结构中包括有多个单个组件的
--------------H01L27/105	....包含场效应组件的
----------------H01L27/112	.....只读存储器结构的
------------------H01L27/115	......电动编程只读存储器
--------------------H01L27/11502	.......具有铁电体存储器电容器的
----------------------H01L27/11568	........以存储器核心区为特征的
------------------------H01L27/1157	.........具有单元选择晶体管的，例如，NAND

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