基本信息:
- 专利标题： METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
- 专利标题（中）：VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUEMENTS SOWIE HALBLEITERBAUELEMENT
- 申请号：EP15769513 申请日：2015-03-18
- 公开(公告)号：EP3125274A4 公开(公告)日：2017-09-13
- 发明人： TANIGAKI YUGO , FUJIWARA TAKENORI
- 申请人： TORAY INDUSTRIES
- 专利权人： TORAY INDUSTRIES
- 当前专利权人： TORAY INDUSTRIES
- 优先权： JP2014063390 2014-03-26; JP2014063391 2014-03-26
- 主分类号： G03F7/42
- IPC分类号： G03F7/42 ; G03F7/023 ; G03F7/075 ; G03F7/40 ; H01L21/027 ; H01L21/304 ; H01L21/306
摘要：
Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device, including a step of yielding a pattern 2a of a polysiloxane-containing composition over a substrate 1, and a step of forming an ion impurity region 6 in the substrate, wherein, after the step of forming an ion impurity region, the method further includes a step of firing the pattern at a temperature of 300 to 1,500°C. This method makes it possible that after the formation of the ion impurity region in the semiconductor substrate, the pattern 2a of the polysiloxane-containing composition is easily removed without leaving any residual. Thus, the yield in the production of a semiconductor device can be improved and the tact time can be shortened.
摘要（中）：
公开了一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括在衬底1上产生含聚硅氧烷的组合物的图案2a的步骤，以及在衬底中形成离子杂质区6的步骤，其中，在形成步骤 离子杂质区域的情况下，还包括在300〜1500℃的温度下烧成图案的工序。 该方法使得在半导体衬底中形成离子杂质区之后，含聚硅氧烷的组合物的图案2a容易除去而不留下任何残留物。 由此，可以提高半导体装置的制造成品率，缩短生产节拍时间。