基本信息:
- 专利标题： SIC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SAME
- 专利标题（中）：SIC单晶及其制造方法
- 申请号：EP15183263.1 申请日：2015-09-01
- 公开(公告)号：EP2995704A2 公开(公告)日：2016-03-16
- 发明人： SHIRAI, Takayuki
- 申请人： Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha
- 申请人地址： 1 Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi-ken 471-8571 JP
- 专利权人： Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人： Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人地址： 1 Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi-ken 471-8571 JP
- 代理机构： Hart-Davis, Jason
- 优先权： JP2014183636 20140909; JP2014266724 20141226
- 主分类号： C30B9/06
- IPC分类号： C30B9/06 ; C30B19/04 ; C30B19/10 ; C30B29/36
摘要：
A low-resistance p-type SiC single crystal containing no inclusions is provided. This is achieved by a method for producing a SiC single crystal wherein a SiC seed crystal substrate 14 is contacted with a Si-C solution 24 having a temperature gradient in which the temperature falls from the interior toward the surface, to grow a SiC single crystal, and wherein the method comprises: using, as the Si-C solution, a Si-C solution containing Si, Cr and Al, wherein the Al content is 3 at% or greater based on the total of Si, Cr and Al, and making the temperature gradient y (°C/cm) in the surface region of the Si-C solution 24 satisfy the following formula (1): y ≥ 0.15789x + 21.52632 (1) wherein x represents the Al content (at%) of the Si-C solution.
摘要（中）：
提供不含夹杂物的低电阻p型SiC单晶。 这通过用于制造SiC单晶的方法来实现，其中SiC晶种衬底14与具有温度从内部朝向表面下降的温度梯度的Si-C溶液24接触以生长SiC单晶 并且其中所述方法包括：使用包含Si，Cr和Al的Si-C溶液作为Si-C溶液，其中基于Si，Cr和Al的总量计，Al含量为3原子％或更高;以及 使得Si-C溶液24的表面区域中的温度梯度y（℃/ cm）满足下式（1）：y≥0.15789x+ 21.52632（1）其中x表示Al含量（at％） Si-C解决方案。
公开/授权文献:
- EP2995704A3 SIC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SAME 公开/授权日：2016-03-23