发明公开
EP2962327A4 COATING LIQUID FOR FORMING METAL OXIDE FILM, METAL OXIDE FILM, FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD FOR PRODUCING FIELD-EFFECT TRANSISTOR
有权
基本信息:
- 专利标题： COATING LIQUID FOR FORMING METAL OXIDE FILM, METAL OXIDE FILM, FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD FOR PRODUCING FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- 专利标题（中）：涂布液用于生产用的场效应晶体管制造金属氧化物，金属氧化物，场效应晶体管和方法
- 申请号：EP14775599 申请日：2014-03-26
- 公开(公告)号：EP2962327A4 公开(公告)日：2016-04-06
- 发明人： NAKAMURA YUKI , UEDA NAOYUKI , MATSUMOTO SHINJI , TAKADA MIKIKO , SONE YUJI , SAOTOME RYOICHI , ARAE SADANORI , ABE YUKIKO
- 申请人： RICOH CO LTD
- 专利权人： RICOH CO LTD
- 当前专利权人： RICOH CO LTD
- 优先权： JP2013072954 2013-03-29; JP2014042911 2014-03-05; JP2014058359 2014-03-20
- 主分类号： H01L21/368
- IPC分类号： H01L21/368 ; C09D1/00 ; C09D5/24 ; C09D7/12 ; H01L21/02 ; H01L29/24 ; H01L29/66 ; H01L29/786
摘要：
To provide a coating liquid for forming a metal oxide film, containing: an indium compound; at least one selected from the group consisting of a magnesium compound, a calcium compound, a strontium compound, and a barium compound; at least one selected from the group consisting of a compound containing a metal a maximum positive value of an oxidation number of which is IV, a compound containing a metal a maximum positive value of an oxidation number of which is V, and a compound containing a metal a maximum positive value of an oxidation number of which is VI; and an organic solvent.
摘要（中）：
用于形成金属氧化物膜，电影，包含提供的涂布液：铟化合物; 至少一种选自镁化合物，钙化合物，锶化合物和钡化合物的选择; 至少一个选自含有金属的所有这些是IV，含有金属的所有的氧化数是V的最大正值的化合物的氧化数的正的最大值的化合物的选择，和含有的化合物 金属的所有这些是VI的氧化数的正的最大值; 和溶剂在有机的。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/36 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/368 | .....应用液体沉积的 |