基本信息:
- 专利标题： METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE NANOPATTERN
- 专利标题（中）：形成氧化硅纳米片的方法
- 申请号：EP13834601.0 申请日：2013-09-05
- 公开(公告)号：EP2894660B1 公开(公告)日：2017-11-01
- 发明人： HAN, Yang-Kyoo , LEE, Je-Gwon , LEE, Hyun-Jin , KIM, No-Ma , YOON, Sung-Soo , SHIN, Eun-Ji , JUNG, Yeon-Sik
- 申请人： LG Chem, Ltd. , IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
- 申请人地址： 128 Yeoui-daero Yeongdeungpo-gu Seoul 150-721 KR
- 专利权人： LG Chem, Ltd.,IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
- 当前专利权人： LG Chem, Ltd.,IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
- 当前专利权人地址： 128 Yeoui-daero Yeongdeungpo-gu Seoul 150-721 KR
- 代理机构： Goddar, Heinz J.
- 优先权： KR20120100033 20120910
- 国际公布： WO2014038869 20140313
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; C08F220/18 ; C08F220/56 ; G03F7/00
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |