基本信息:
- 专利标题： Modular approach for reducing flicker noise of MOSFETs
- 专利标题（中）：调制器Ansatz zur Verringerung von Flimmerrauschen von MOSFETs
- 申请号：EP14175480.4 申请日：2014-07-02
- 公开(公告)号：EP2827374A1 公开(公告)日：2015-01-21
- 发明人： Eshraghi, Ali , Tomasini, Alfredo
- 申请人： Analog Devices, Inc.
- 申请人地址： One Technology Way Norwood, MA 02062-9106 US
- 专利权人： Analog Devices, Inc.
- 当前专利权人： Analog Devices, Inc.
- 当前专利权人地址： One Technology Way Norwood, MA 02062-9106 US
- 代理机构： Lowe, Alastair Nicholas
- 优先权： US201313942471 20130715
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/8234 ; H01L21/8238 ; H01L29/10
摘要：
In one example implementation, the present disclosure provides a modular approach to reducing flicker noise in metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) in a device. First, a circuit designer may select one or more surface channel MOSFETs in a device. Then, the one or more surface channel MOSFETs are converted to one or more buried channel MOSFETs to reduce flicker noise. One or more masks may be applied to the channel(s) of the one or more surface channel MOSFETs. The technique maybe used at the input(s) of operational amplifiers, and more particularly, rail-to-rail operational amplifiers, as well as other analog and digital circuits such a mixers, ring oscillators, current mirrors, etc.
摘要（中）：
在一个示例实现中，本公开提供了一种用于减少设备中的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中的闪烁噪声的模块化方法。 首先，电路设计者可以在器件中选择一个或多个表面沟道MOSFET。 然后，一个或多个表面沟道MOSFET被转换成一个或多个掩埋沟道MOSFET，以减少闪烁噪声。 一个或多个掩模可以施加到一个或多个表面沟道MOSFET的沟道。 该技术可以用在运算放大器的输入端，更具体地，可以用于轨至轨运算放大器以及其它模拟和数字电路，例如混频器，环形振荡器，电流镜等。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |