基本信息:
- 专利标题： Tunneling field-effect transistor including graphene channel
- 专利标题（中）：隧道场效应晶体管与石墨烯沟道
- 申请号：EP13186857.2 申请日：2013-10-01
- 公开(公告)号：EP2720273B1 公开(公告)日：2017-03-29
- 发明人： Heo, Jin-seong , Park, Seong-jun , Byun, Kyung-eun , Seo, David , Song, Hyun-jae , Lee, Jae-ho , Chung, Hyun-jong
- 申请人： Samsung Electronics Co., Ltd
- 申请人地址： 129, Samsung-ro Yeongtong-gu Suwon-si Gyeonggi-do 443-742 KR
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd
- 当前专利权人地址： 129, Samsung-ro Yeongtong-gu Suwon-si Gyeonggi-do 443-742 KR
- 代理机构： Greene, Simon Kenneth
- 优先权： KR20120112087 20121009
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L29/08 ; H01L29/739 ; H01L29/78 ; H01L29/16 ; B82Y99/00
公开/授权文献:
- EP2720273A1 tunneling field-effect transistor including graphene channel 公开/授权日：2014-04-16
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |