基本信息:
- 专利标题： Method of plasma etching
- 申请号：EP13275243.7 申请日：2013-10-03
- 公开(公告)号：EP2717298B1 公开(公告)日：2020-12-02
- 发明人： Ashraf, Huma , Barker, Anthony
- 申请人： SPTS Technologies Limited
- 申请人地址： Coed Rhedyn Ringland Way Newport Gwent NP18 2TA GB
- 专利权人： SPTS Technologies Limited
- 当前专利权人： SPTS Technologies Limited
- 当前专利权人地址： Coed Rhedyn Ringland Way Newport Gwent NP18 2TA GB
- 代理机构： Wynne-Jones IP Limited
- 优先权： GB201217712 20121003; US201261709259P 20121003
- 主分类号： H01L21/3065
- IPC分类号： H01L21/3065 ; H01L21/308
公开/授权文献:
- EP2717298A3 Method of plasma etching 公开/授权日：2017-08-23
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/3065 | .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀 |