基本信息:
- 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
- 申请号：EP12785684 申请日：2012-05-11
- 公开(公告)号：EP2709148A4 公开(公告)日：2015-07-15
- 发明人： NAGAUNE FUMIO
- 申请人： FUJI ELECTRIC CO LTD
- 专利权人： FUJI ELECTRIC CO LTD
- 当前专利权人： FUJI ELECTRIC CO LTD
- 优先权： JP2011108718 2011-05-13
- 主分类号： H01L23/367
- IPC分类号： H01L23/367 ; H01L21/60 ; H01L23/12 ; H01L23/488
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/36 | ..为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器 |
| ------------H01L23/367 | ...为便于冷却的器件造型 |