基本信息:
- 专利标题： VERFAHREN ZUM PERMANENTEN BONDEN VON WAFERN
- 专利标题（英）：Method for the permanent bonding of wafers
- 专利标题（中）：方法永久性粘结WAFERS
- 申请号：EP11702931.4 申请日：2011-01-25
- 公开(公告)号：EP2668661B1 公开(公告)日：2016-01-20
- 发明人： PLACH, Thomas , HINGERL, Kurt , WIMPLINGER, Markus , FLÖTGEN, Christoph
- 申请人： Ev Group E. Thallner GmbH
- 申请人地址： Dl Erich Thallner Straße 1 4782 St. Florian am Inn AT
- 专利权人： Ev Group E. Thallner GmbH
- 当前专利权人： Ev Group E. Thallner GmbH
- 当前专利权人地址： Dl Erich Thallner Straße 1 4782 St. Florian am Inn AT
- 代理机构： Becker, Thomas
- 国际公布： WO2012100786 20120802
- 主分类号： H01L21/18
- IPC分类号： H01L21/18 ; H01L21/20 ; H01L21/70 ; H01L21/762
公开/授权文献:
- EP2668661A1 VERFAHREN ZUM PERMANENTEN BONDEN VON WAFERN 公开/授权日：2013-12-04
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |