基本信息:
- 专利标题： Semiconductor device
- 专利标题（中）：Halbleiterbauelement
- 申请号：EP12193092.9 申请日：2012-11-16
- 公开(公告)号：EP2597680A2 公开(公告)日：2013-05-29
- 发明人： Yanagi, Shinichiro
- 申请人： Renesas Electronics Corporation
- 申请人地址： 1753 Shimonumabe, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa JP
- 专利权人： Renesas Electronics Corporation
- 当前专利权人： Renesas Electronics Corporation
- 当前专利权人地址： 1753 Shimonumabe, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa JP
- 代理机构： Calderbank, Thomas Roger
- 优先权： JP2011258570 20111128
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/10 ; H01L29/06
摘要：
In the interior of a semiconductor substrate having a main surface, a first p - epitaxial region is formed, a second p - epitaxial region is formed on the main surface side, and an n-type drift region and a p-type body region are formed on the main surface side. An n + buried region is formed between the first p - epitaxial region and the second p - epitaxial region in order to electrically isolate the regions. A p + buried region having a p-type impurity concentration higher than that of the second p - epitaxial region is formed between the n + buried region and the second p - epitaxial region. The p + buried region is located at least immediately under the junction between the n-type drift region and the p-type body region so as to avoid a site immediately under a drain region which is in contact with the n-type drift region.
摘要（中）：
在具有主表面的半导体衬底的内部，形成第一p-外延区，在主表面侧形成第二p-外延区，并且n型漂移区和p型体区是 形成在主表面侧。 在第一p-外延区域和第二p-外延区域之间形成n +掩埋区域，以便电隔离该区域。 在n +掩埋区域和第二p-外延区域之间形成具有高于第二p-外延区域的p型杂质浓度的p +掩埋区域。 p +掩埋区域至少位于n型漂移区域和p型体区域之间的接合点的正下方，以避免在与n型漂移区域接触的漏极区域正下方的位置。
公开/授权文献:
- EP2597680A3 Semiconductor device 公开/授权日：2013-12-18
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |