基本信息:
- 专利标题： NEW DIELECTRIC OXIDE FILMS AND METHOD FOR MAKING SAME
- 专利标题（中）：VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG的NEE DIELEKTRISCHE OXIDFILME
- 申请号：EP10756741 申请日：2010-03-23
- 公开(公告)号：EP2411987A4 公开(公告)日：2015-01-07
- 发明人： PHILLIPS MARK , THOMAS TRAVIS , FERGUSON SAUL
- 申请人： SBA MATERIALS INC
- 专利权人： SBA MATERIALS INC
- 当前专利权人： SBA MATERIALS INC
- 优先权： US16254909 2009-03-23
- 主分类号： H01B3/10
- IPC分类号： H01B3/10 ; C01B13/18 ; C01G1/02 ; C01G23/08 ; C03C3/108 ; C04B35/46 ; C04B35/462 ; C04B35/468 ; C04B35/49 ; C04B35/491 ; C04B35/495 ; C04B35/622 ; C04B35/624
摘要：
Dielectric oxide materials prepared by producing a sol from a mixture of a metal oxide precursor, a solvent, and an epoxide, and preparing a metal oxide material from the sol. In various versions, the mixture can also include a cosolvent, one or more additional metal oxide precursors, water, or a precursor to a glassforming oxide, or any combination thereof. The prepared dielectric oxide materials can be in the form of thin films having high &kgr; values, low electrical leakage, and low dielectric loss tangent values.
摘要（中）：
通过从金属氧化物前体，溶剂和环氧化物的混合物制备溶胶，以及由溶胶制备金属氧化物材料制备的电介质氧化物材料。 在各种形式中，混合物还可以包括共溶剂，一种或多种另外的金属氧化物前体，水或玻璃形成氧化物的前体，或其任何组合。 制备的电介质氧化物材料可以是具有高kgr的薄膜的形式; 值，低漏电和低介电损耗角正切值。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01B | 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择 |
| ------H01B3/00 | 按绝缘材料的特性区分的绝缘体或绝缘物体；绝缘或介电材料的性能的选择 |
| --------H01B3/02 | .主要由无机物组成的 |
| ----------H01B3/10 | ..金属氧化物 |