基本信息:
- 专利标题： A PHOTORESIST IMAGE-FORMING PROCESS USING DOUBLE PATTERNING
- 专利标题（中）：一种使用双重图案的光刻成像过程
- 申请号：EP09741412.2 申请日：2009-03-30
- 公开(公告)号：EP2389612A1 公开(公告)日：2011-11-30
- 发明人： CAO, Yi , THIYAGARAJAN, Muthiah , HONG, SungEun , LEE, Dongkwan , LI, Meng , MIKRUT, David
- 申请人： AZ Electronic Materials USA Corp.
- 申请人地址： 70 Meister Avenue Somerville, New Jersey 08876 US
- 专利权人： AZ Electronic Materials USA Corp.
- 当前专利权人： AZ Electronic Materials USA Corp.
- 当前专利权人地址： 70 Meister Avenue Somerville, New Jersey 08876 US
- 代理机构： Rippel, Hans Christoph
- 优先权： US356568 20090121
- 国际公布： WO2010084372 20100729
- 主分类号： G03F7/00
- IPC分类号： G03F7/00 ; G03F7/20 ; G03F7/40 ; H01L21/027
摘要：
A process for forming a double photoresist pattern is disclosed.
摘要（中）：
公开了形成双光刻胶图案的工艺。