基本信息:
- 专利标题： ERROR CORRECTION IN MULTIPLE SEMICONDUCTOR MEMORY UNITS
- 申请号：EP09829622.1 申请日：2009-10-28
- 公开(公告)号：EP2351045B1 公开(公告)日：2018-11-28
- 发明人： RESNICK, David, R.
- 申请人： Micron Technology, Inc.
- 申请人地址： 8000 South Federal Way Boise, ID 83716-9632 US
- 专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人地址： 8000 South Federal Way Boise, ID 83716-9632 US
- 代理机构： Granleese, Rhian Jane
- 优先权： US259949 20081028
- 国际公布： WO2010062655 20100603
- 主分类号： G11C29/42
- IPC分类号： G11C29/42 ; G11C29/24 ; G11C29/26 ; G06F11/10
摘要：
Various embodiments include apparatus and methods to store data in a first semiconductor memory unit and to store error correction information in a second semiconductor memory unit to recover the data. The error correction information has a value equal to at least the value of the data store in the first memory unit.
公开/授权文献:
- EP2351045A2 ERROR CORRECTION IN MULTIPLE SEMICONDUCTOR MEMORY UNITS 公开/授权日：2011-08-03
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G11 | 信息存储 |
| ----G11C | 静态存储器 |
| ------G11C29/00 | 存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器 |
| --------G11C29/04 | .损坏存储元件的检测或定位 |
| ----------G11C29/08 | ..功能测试，例如，在刷新、通电自检（POST）或分布型测试期间的测试 |
| ------------G11C29/12 | ...用于测试的内置装置，例如，内置的自检装置（BIST） |
| --------------G11C29/38 | ....响应验证装置 |
| ----------------G11C29/42 | .....用纠错码（ECC）或奇偶校验检查 |