发明公开
EP2013902A1 PROCEDE DE REALISATION D'UNE GRILLE DE TRANSISTOR COMPRENANT UNE DECOMPOSITION D'UN MATERIAU PRECURSEUR EN AU MOINS UN MATERIAU METALLIQUE, A L'AIDE D'AU MOINS UN FAISCEAU D'ELECTRONS
有权
基本信息:
- 专利标题： PROCEDE DE REALISATION D'UNE GRILLE DE TRANSISTOR COMPRENANT UNE DECOMPOSITION D'UN MATERIAU PRECURSEUR EN AU MOINS UN MATERIAU METALLIQUE, A L'AIDE D'AU MOINS UN FAISCEAU D'ELECTRONS
- 专利标题（英）：Method of producing a transistor gate comprising decomposition of a precursor material into at least one metallic material, by means of at least one electron beam
- 专利标题（中）：用于生产晶体管栅极与前体材料的至少一种金属物料的分离由至少一个电子
- 申请号：EP07728767.0 申请日：2007-05-03
- 公开(公告)号：EP2013902A1 公开(公告)日：2009-01-14
- 发明人： ERNST, Thomas , LANDIS, Stéfan
- 申请人： Commissariat à l'Energie Atomique
- 申请人地址： 25, rue Leblanc Immeuble "Le Ponant D" 75015 Paris FR
- 专利权人： Commissariat à l'Energie Atomique
- 当前专利权人： Commissariat à l'Energie Atomique
- 当前专利权人地址： 25, rue Leblanc Immeuble "Le Ponant D" 75015 Paris FR
- 代理机构： Ilgart, Jean-Christophe
- 优先权： FR0651616 20060504
- 国际公布： WO2007128780 20071115
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/786
摘要：
The invention relates to a micro-electronic method of producing a transistor gate (160, 260, 360, 460) from a precursor material (150, 250, 350, 450) capable of being decomposed into at least one metallic material, after having been exposed to an electron beam. The invention applies in particular to the production of multi-channel, FinFET, suspended channel transistors or transistors of the SON or GAA type.
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |